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本文件规定了半导体集成电路中直接数字频率合成器（以下简称“器件”）电特性的通用测试方法。本文件适用于单通道及多通道直接数字频率合成器电路的测试。
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本文件描述了微波电路类的电调衰减器主要电参数的测试方法。本文件适用于单片和混合集成的微波电调衰减器（以下简称衰减器)的相关电参数测试。
本标准规定了集成电路(IC)卡封装框架(以下简称IC卡封装框架)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、贮存和运输。
本标准适用于IC卡封装框架，包括接触式IC卡封装框架和非接触式IC卡封装框架。
本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。
本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。
本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。
本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。
本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。
为了给设备的电气特性分析提供标准，需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化：a)〓在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)〓为电子电路定义更多灵活的描述规则，以提供更准确的PCB分析。c)〓引入建模等级概念，为每一个应用提供相关数据。d)〓完善封装和模块的电气模型。
本标准规定了半导体集成电路电平转换器（以下称为器件）功能、静态参数和动态参数的测试方法。本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。
本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号（LVDS，low voltage differential signaling）电路（以下称为“器件”）静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。
本标准规定了串行或非（NOR)型快闪存储器（以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。
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