17704692435
本文件描述了窗口薄膜的鼓胀测试方法。试样由微米/纳米结构薄膜材料制备，包括金属、陶瓷和聚合物等薄膜，用于微机电系统（MEMS）、微机械等领域。薄膜厚度范围为0.1 μm～10 μm。正方形和长方形窗口宽度范围0.5 mm～4 mm，圆形窗口直径范围0.5 mm～4 mm。
本文件适用于常温环境条件下，对窗口薄膜试样施加均匀压力进行弹性模量和残余应力测试。
电子版：49元
/ 折扣价：
42 元
本文件描述了长度和宽度小于1 mm、厚度在0.1 μm~10 μm 的薄膜材料的弯曲试验方法。薄膜作为主要结构材料用于微机电系统（MEMS）和微机械中。
作为微机电系统（MEMS）、微机械等器件中的主要结构材料，薄膜具有独特性，如尺寸为几微米，采用沉积、光刻等材料制备工艺，和/或非机械加工测试结构。本文件描述了微尺度光滑悬臂式测试结构的弯曲试验方法及测试结构形状，以保证与薄膜材料独特性相对应的测试精度。
本文件描述了在环境应力(温度和湿度)、机械应力和应变下，评估MEMS压电薄膜材料耐久性的试验方法，以及用于质量评估的试验条件。本文件具体描述了在温度、湿度条件和外加电压下测量被测器件耐久性的试验方法和试验条件。
本文件适用于评估MEMS压电薄膜材料的耐久性和质量，也适用于评估在硅衬底上形成的压电薄膜的正压电性能，例如用作声学传感器或悬臂式传感器的压电薄膜。
本文件不包括可靠性评估，如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法。
本文件描述了用于压电式微传感器和微执行器等器件的压电薄膜机电转换特性测量方法。
本文件适用于MEMS工艺制备的压电薄膜。
本文件描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法，利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩，以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。
本文件适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底（通常是硅晶片）厚度的1/100。
本文件规定了射频MEMS环行器和隔离器的术语、基本额定值和特性以及测量方法。
本文件规定了基于MEMS技术的车规级压力传感器的分类、基本要求、技术要求和试验方法。
本文件适用于基于MEMS技术的车规级压力传感器，其他压力传感器参照执行。
本文件描述了硅基MEMS加工所涉及的微结构弯曲强度原位试验的要求和试验方法。本文件适用于采用微电子工艺制造的微结构弯曲强度测试。
本文件描述了硅基MEMS制造技术中所涉及的纳尺度膜结构沿厚度方向冲击试验的要求和试验方法。本文件适用于采用微电子工艺制造的纳尺度结构在一次冲击负荷作用下的耐冲击性能的测试。
本文件描述了硅基MEMS加工过程中所涉及的纳米厚度膜轴向抗拉强度原位试验的要求和试验方法。本文件适用于采用微电子工艺制造的纳米厚度膜抗拉强度测试。
对不起，暂未有相关搜索结果！
