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本标准规定了电子工业用氧的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。
本标准适用于以深冷法、电解法提取的气态或液态氧，以及经纯化方法得到的氧。它们主要用于二氧化硅化学气相淀积，用作氧化源和生产高纯水的反应剂，用于等离子体蚀刻和剥离、光导纤维。
分子式：O2。
相对分子质量：31.998 8（按2005年国际相对原子质量计算）。
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本标准规定了电子工业用磷化氢的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。
本标准适用于亚磷酸热分解、磷化物水解、单质磷与水或碱反应等方法获得并经精制得到的磷化氢产品。它主要用于半导体器件和集成电路生产的外延、离子注入和掺杂。
分子式：PH3。
相对分子质量：33.99758（按2005年国际相对原子质量计算）。
本标准规定了电子工业用氢的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。本标准适用于以氢气为原料经净化制取的瓶装、集装格装和管道输送的电子工业用氢气。它们主要被用来提供还原气氛，作为外延工艺的载气以及等离子体蚀刻剂的配气原料。
本标准规定了氦的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。
本标准适用于以深冷法从天然气、空气和工厂弛放气中提取的气态和液态氦，以及经纯化方法得到的氦。它们在半导体制造中用作清洗气、加压气，也用作载气和保护气等。
分子式：He。
相对分子质量：4.003（按2005年国际相对原子质量）。
本标准规定了电子工业用气体氮的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。本标准适用于以深冷法从空气中提取的气态和液态氮，以及经电化学方法得到的氮。它们在超大规模集成电路制造中用作保护、吹扫、覆盖、加压，化学气相淀积等。
本标准规定了氩的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。
本标准适用于以深冷法从空气、合成氨尾气中提取的液态和气态氩以及经纯化方法得到的氩。
氩用于系统的吹扫、保护和增压，它还可以用于化学汽相淀积、溅射、等离子及活性离子刻蚀剂和退火等不同工艺中。
分子式：Ar。
相对分子质量：39.948(按2005年国际相对原子质量)。
本标准规定了硅烷气体的技术要求、试验方法以及包装、标志、贮运及安全。
本标准适用于电子工业中多晶硅和单晶硅外延淀积、二氧化硅的低温化学汽相淀积、非晶硅薄膜淀积等。
分子式：SiH4。
相对分子质量：32.117（按2005年国际相对原子质量）。
本标准规定了电子工业用气体 5N氯化氢的技术要求、检验方法、检验规则以及包装、标志、运输、储存、充装、分装和安全要求。本标准适用于以工业氯化氢为原料经净化制得的瓶装液化氯化氢。
本标准规定了医用氧及航空呼吸用氧产品的要求、检验规则、试验方法以及包装、标志、储存、运输与安全警示。
本标准适用于由分离空气制取的气态及液态医用氧、航空呼吸用氧。主要用于医疗、制备潜水呼吸混合气、航空飞行呼吸等。
分子式：O2。
相对分子质量：31.998 8（按2005年国际相对原子质量计算）。
本标准规定了高纯二氧化碳的要求、试验方法以及包装、标志、贮运及安全警示。
本标准适用于以工业二氧化碳为原料经纯化制得的高纯度二氧化碳。高纯二氧化碳主要用于激光、电子工业、反应堆气体冷却剂、科学研究等领域。
分子式：CO2
分子量：44.009 5 (按2007年国际原子量表计算)
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