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本文件界定了微机电系统器件及其生产工艺相关的术语和定义。本文件适用于微机电系统领域的研究、开发、评测和应用。
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本文件规定了陀螺仪的术语和定义、额定值、性能参数及测量方法。
陀螺仪主要用于消费电子、工业和航空航天等。陀螺仪广泛采用MEMS和半导体激光器技术。
本文件描述了MEMS压阻式压力敏感器件试验条件和试验方法。
本文件适用于MEMS压阻式压力敏感器件。
本文件描述了微米尺度沟槽结构和棱锥式针结构，并给出两种结构几何形状的测量示例。本文件中沟槽结构的深度为1 μm～100 μm、沟槽宽和沟槽间隔宽均为5 μm～150 μm、深宽比为0.006 7～20。棱锥式针结构具有三个或四个面，其高度、横向宽度和纵向宽度为2 μm或更大，并且外轮廓尺寸可包含于边长为100 μm的立方体内。
本文件适用于MEMS结构设计和MEMS结构加工后的几何形状评估。
本文件描述了测量厚度范围为0.5 μm～300 μm 金属膜材料成形极限的方法。
本文件适用于通过压印等成型工艺制造电子元器件、MEMS 的金属膜材料。
本文件描述了测量厚度范围为0.01 μm～10 μm的MEMS膜残余应力的方法，包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。
本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。
本文件描述了微柱压缩试验方法，用于MEMS 材料压缩特性的高精度、高重复性测量，且试样制造难度适中；测量试样单向压缩应力﹘应变的关系，得到试样压缩弹性模量和屈服强度。
试样是通过微加工技术在刚性（或高刚度）基体上制造的圆柱，其高径比（高度与直径的比值）大于3 为宜。本文件适用于金属、陶瓷、高分子等材料制备的高度小于100 μm 微柱的测试。
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