- 您的位置:
- 中国标准在线服务网 >>
- 全部标准分类 >>
- 国家标准 >>
- L56 >>
- GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

【国家标准】 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
本网站 发布时间:
2017-12-01
- GB/T 33657-2017
- 现行
开通会员免费在线看70000余条国内标准,赠送文本下载次数,单本最低仅合13.3元!还可享标准出版进度查询、定制跟踪推送、标准查新等超多特权!  
查看详情>>

文前页下载
适用范围:
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范,其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料,基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元,100 nm~300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
标准号:
GB/T 33657-2017
标准名称:
纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范
英文名称:
Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells标准状态:
现行-
发布日期:
2017-05-12 -
实施日期:
2017-12-01 出版语种:
中文简体
- 推荐标准
- 国家标准计划
- GB/T 42968.2-2024 集成电路 电磁抗扰度测量 第2部分:辐射抗扰度测量TEM小室和宽带TEM小室法
- GB/T 44777-2024 知识产权(IP)核保护指南
- GB/T 44795-2024 系统级封装(SiP)一体化基板通用要求
- GB/T 44798-2024 复杂集成电路设计保证指南
- GB/T 44801-2024 系统级封装(SiP)术语
- GB/T 43034.2-2024 集成电路 脉冲抗扰度测量 第2部分:同步瞬态注入法
- GB/T 44806.1-2024 集成电路 收发器的EMC评估 第1部分:通用条件和定义
- GB/T 44807.1-2024 集成电路电磁兼容建模 第1部分:通用建模框架
- GB/T 44635-2024 静电放电敏感度试验 传输线脉冲 器件级
- GB/T 43536.2-2023 三维集成电路 第2部分:微间距叠层芯片的校准要求
- GB/T 43452-2023 模拟/混合信号知识产权(IP)核交付项要求
- GB/T 43453-2023 模拟/混合信号知识产权(IP)核文档结构指南
- GB/T 43455-2023 模拟/混合信号知识产权(IP)核质量评测
- GB/T 43454-2023 集成电路知识产权(IP)核设计要求
- GB/T 20870.2-2023 半导体器件 第16-2部分: 微波集成电路 预分频器