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本文件规定了半导体集成电路射频发射器和接收器（以下简称器件）的电特性测试方法的基本原理和测试程序。
本文件适用于具有接收功能、发射功能、收发一体功能的一次变频射频发射器/接收器，其他类型的发射器和接收器可参考使用。
本文件规定了直接用1 Ω阻性探头测量射频(RF)电流和150 Ω耦合网络测量RF电压以测量集成电路(IC)传导电磁发射(EME)的方法。这些方法可确保EME测量具有高度的可重复性和相关性。
本文件规定了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下集成电路(IC)抗扰度的测量方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。本方法确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性。
本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。
本文件界定了微波集成电路开关的术语和定义，规定了额定值和特性，描述了测试方法。
开关的射频端口有多种组合，如单刀单掷（SPST)、单刀双掷（SPDT)、单刀三掷（SP3T)、双刀双掷（DPDT)等。本文件基于SPDT型开关，其他类型的开关也适用。
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